太陽能光電用N型和P型單晶矽片的主要差異
太陽能光電用N型和P型單晶矽片的主要差異
單晶矽片具有準金屬的物理性質，導電性較弱，其導電性隨溫度升高而增加。它們還具有顯著的半導體特性。透過在超純單晶矽片中摻雜少量硼，可以提高電導率，形成P型矽半導體。同樣，摻雜少量的磷或砷也可以增加導電率，形成N型矽半導體。那麼，P型矽片和N型矽片有什麼差別呢？
P型和N型單晶矽片的主要差異如下：
摻雜劑：在單晶矽中，摻雜磷使其成為N型，摻雜硼使其成為P型。
導電性：N型為電子傳導性，P型為電洞傳導性。
性能：N型摻雜的磷越多，自由電子越多，導電性越強，電阻率越低。 P型摻雜的硼越多，取代矽產生的電洞越多，導電性越強，電阻率越低。
目前，P型矽片是光電產業的主流產品。 P型矽片製造簡單，成本低廉。 N型矽片通常具有更長的少數載子壽命，可以使太陽能電池的效率更高，但製程更複雜。 N型矽片摻雜磷，與矽的溶解度較差。在拉拔過程中，磷分佈不均勻。 P型矽片摻雜硼，其偏析係數與矽相似，色散均勻性易於控制。